국내 반도체 산업이 첨단 공정 노드로 빠르게 발전함에 따라 웨이퍼 전역 평탄화는 리소그래피 정확도와 장치 성능을 결정하는 중요한 요소가 되었습니다. CMP(화학적 기계적 평탄화)는 이러한 목표를 달성하기 위한 핵심 프로세스 역할을 하며, CMP의 핵심 소모품인-실리카졸 연마재-는 순도, 입자 크기 균일성 및 분산 안정성을 통해 연마 후 표면 평탄도와 웨이퍼의 결함성을 직접적으로 결정합니다.-
오랫동안 고급 반도체 CMP용 고순도 실리카졸 시장은-해외 브랜드가 독점해 왔습니다.- 수입 제품은 가격이 너무 비싸고 공급 주기가 불안정할 뿐만 아니라 핵심 기술 반복도 해외 선도 웨이퍼 제조업체의 요구 사항에 맞춰 우선적으로 적용됩니다. 결과적으로, 국내 기업은 포괄적인 기술 지원을 얻기 위해 고군분투하고 있으며, 이는 중국 반도체 소모품의 자급자족과 독립적인 통제를 제한하는 심각한 병목 현상이 됩니다.
동시에, 국내에서 대량 생산되는-기존 실리카졸 제품은 일반적으로 금속 불순물 함량이 과도하게 높고 입자 크기 균일성이 낮으며 분산 안정성이 부족한 등 여러 가지 문제점을 안고 있습니다. 기존의 일반 실리카졸을 고급-웨이퍼 CMP 연마 공정에 적용하면 표면 긁힘, 구멍, 국부적인 부식 및 표준 이하의 평면성과 같은 결함이 쉽게 발생하여 오늘날 고급 반도체 제조의 엄격한 공정 표준 및 대량 생산 요구 사항을 완전히 충족할 수 없게 됩니다.- 따라서, 수입 의존도를 탈피하여 고성능, 초고-순도-, 안정적으로 대량 생산 가능한-국산 실리카졸의 개발은 반도체 연마재 산업 전반에 있어 시급하고 필수적인 과제가 되었습니다.
이러한 업계의 문제점과 중요한 산업 요구 사항을 해결하기 위해 당사는 고급 반도체 전자 재료 분야에 깊이 관여하고 있습니다.- 우리는 고순도, 고-균일성, 고-안정성 CMP 실리카졸의 핵심 기술적 장애물을 극복하는 데 중점을 두고 있습니다. 두 가지 시너지 효과가 있는 공정 경로를 활용하여 국내 기술적 병목 현상을 극복하고 있습니다. 기존 이온 교환 방법을 통해 총 금속 불순물 함량이 20ppm 미만인 초{6}}고순도{7}}실리카졸을 안정적으로 생산할 수 있을 뿐만 아니라{9}}입자 형태가 잘 조절되고 안정성이 우수한 제품을 얻을 수 있을 뿐만 아니라{11}}졸{12}}겔 방법을 활용하여 제조합니다. 초-고순도-실리카졸. 두 경로의 결과 성능 지표는 반도체 CMP 응용 분야의 요구 사항을 완전히 충족하므로 고순도 연마 연마재의 국내 생산을 위한 효과적인 기술 솔루션을 제공합니다.